在传统的带隙基准中，比例系数K由两个
电阻带的 比值产生。然而在标准数字CMOS工艺中，通常使用 硅化物来减小多晶硅和扩散M的方块
电阻带，因此很难 获得高精度的电阻带，而a使用电阻带会增大芯片面枳， 提ft成木n
传统的带隙基准采用电阻带R1将两个PN结电压 差AKfl(与温度成止比)转换为电流,然后让该电流流 过另外一个电阻带R2形成一个与温度成正比的电压， 将该电压和一个PN结电压求和就得到所需的基准电 压,通过调廿两个电阻带的比值可以使此电压温度系数 近似为零。然而在数宇CMOS工艺中,不能获得高粞 度的电阻带.而且使用电阻带将会占用较大的芯片面积， 提髙芯片成本。
本文提出•种不黹耍电阻带的带隙某准源,巧妙的 利用源偶对将转换成电流，此电流通过二极管连 接的MOS管时转换成电压。同传统带隙基准一样,将 该电压与一个PN结电压求和就得到所浠的基准电 压,通过调节电压电流转换过程中的晶体管宽长比可 以实现温度系数很低的电压。
W为pn结二极管的电压降^的溫度系数在宰 溫时大约为-2.2«^/^：,而热电压在室温时 的温度系数为+0.085mK/^。如采电压R乘以• •个与 温度无关的常数K加上电庄V^，则输出电压V^V^ KV„通过调整K的仉可以获得一个近似为芩温度系 数的丨这就记带隙基准的般原理，其中h -般由 两个二极管iE向电压差产生。
本文采用反函数的方法来产生K值„其某本思想 就是对做/运算后甩做/-1运算，即广狀厶Vo))=K (A^d)0在这里/是跨导，而广•=尺广是跨阻甬数。/吋以 是非线性函数，因为可以抵消f的非线性,这样就4以 产生一个稳定的增益5其电路实现如图丨所示，该电 路主耍由两个源耦差分对构成，一个完成电JTR电流转 换(VCT〉,另外一个完成电流电压转换。其工作原理如 下:假定各个P管和N管的阈值电压分别相等，并忽 略沟道长度调制效应的影响。
